屏蔽罩對(duì)零中頻手機(jī)射頻發(fā)射性能的影響：

有時(shí)常出現(xiàn) Shielding Cover蓋上去后，其性能劣化的現(xiàn)象，例如靈敏度變差，相位誤差變大……等，可能原因，便是由于 Shielding Cover與RF走線，或是匹配組件間的距離過(guò)近，其寄生電容影響了阻抗，尤其是 0402尺寸的組件，因?yàn)轶w積較大，更容易有這現(xiàn)象，此時(shí)可利用阻抗軟件先加以驗(yàn)證，將 H1與? H2，設(shè)為 100 mil，來(lái)模擬未加 Shielding Cover時(shí)的阻抗。接著再將實(shí)際的? ?H1值帶入，0402組件的高度，約? 20mil，因此 H2大約為? ?H1-20。此時(shí)去比較阻抗的變化，便可得知 Shielding Cover與? RF走線，或是匹配組件間的距離，是否會(huì)影響阻抗了。

然而相較于匹配組件或走線，通常 Shielding Cover蓋上去后，其性能劣化的現(xiàn)象，來(lái)自 PA的機(jī)會(huì)較大，因?yàn)?PA的能量本來(lái)就很大，加上體積較大，離? Shielding Cover更近，所以這表示 PA耦合到? Shielding Cover的能量同樣很大，若? ?Shielding Cover接地良好，原則上 PA耦合到? Shielding Cover的能量，會(huì)通通流到 GND，但若 Shielding Cover與 Shielding Frame的接觸不夠好，那么? PA耦合到? ?Shielding Cover的能量，有一部分會(huì)反射，打到其他走線，若是打到 PA電源，那基本上所有發(fā)射性能都會(huì)劣化。

由于現(xiàn)今智能手機(jī)要求的 RF功能越來(lái)越多，這連帶使得零件數(shù)目越來(lái)越多，且越來(lái)越要求輕薄短小，而零中頻架構(gòu)，由于具備了低成本，低復(fù)雜度，以及高整合度，這使得零中頻架構(gòu)的收發(fā)器，在手持裝置，越來(lái)越受歡迎。但連帶也有一些缺失，其中一項(xiàng)便是所謂的? VCO Pulling，因此不論是高通，或是? MTK，都會(huì)建議收發(fā)器與 PA要分別放在兩個(gè)獨(dú)立的屏蔽框里，也是為了避免? ?VCO Pulling。

因此倘若 PA跟收發(fā)器在同一個(gè)? Shielding下，沒(méi)有區(qū)隔開(kāi)來(lái)，那情況更麻煩，因?yàn)槌?PA電源，也可能會(huì)打到收發(fā)器的相關(guān)電源走線，甚至透過(guò)PA input走線跟接收走線，去打到 VCO，產(chǎn)生 VCO Pulling。

此時(shí)可以做實(shí)驗(yàn)，去驗(yàn)證是否 PA輸出訊號(hào)打到上述走線。記得要加 DC Block，避免電源的直流訊號(hào)，回灌到 CMU跟? PA，而? DC Block不是隨便串聯(lián)個(gè)電容就好了，因?yàn)殡娙葜禃?huì)影響 S11，若值不對(duì)，很可能其 PA輸出訊號(hào)都會(huì)被反射回 來(lái)。串聯(lián) 56 pF電容，幾乎不會(huì)影響阻抗，因?yàn)樵瓌t上 RF Cable都是? 50奧姆，換言之，若擺放? ?56 pF的? DC Block，亦即? PA輸出訊號(hào)會(huì)一路走 50奧姆，幾乎不會(huì)反射。

原則上這樣的實(shí)驗(yàn)，其發(fā)射性能是一定會(huì)劣化，但要觀察是否為 Shielding Cover蓋上去后的現(xiàn)象，倘若同樣的現(xiàn)象完全復(fù)制出來(lái)，才可判定 Root Cause是? PA輸出訊號(hào)打到上述走線，例如 Shielding Cover蓋上去后，其傳導(dǎo)雜散會(huì)? Fail，但相位誤差依然 Pass，而上述實(shí)驗(yàn)卻是傳導(dǎo)雜散跟相位誤差都 Fail，那就不能證明是PA輸出訊號(hào)打到上述走線。?

若 Shielding Cover與? Shielding Frame的接觸不是很緊密，則會(huì)產(chǎn)生時(shí)而開(kāi)路，時(shí)而短路的情況發(fā)生，這樣的行為模式，宛如一個(gè) Switch。而Switch為非線性組件，會(huì)有非線性效應(yīng)，諧波便是典型的非線性效應(yīng)之一。

而任何金屬，若沒(méi)接地完全，那就是一個(gè)輻射體，因此 Shielding Cover加? ShieldingFrame，整個(gè) Shielding Can宛如一個(gè)共振腔結(jié)構(gòu)，會(huì)把? PA耦合到? ?Shielding Cover的能量，輻射出去，當(dāng)然 PA耦合到? Shielding Cover的能量中，也包含了? ?PA非線性效應(yīng)既有的諧波，若再加上 Shielding Cover與? Shielding Frame的? ?Switch效應(yīng)，那么輻射雜散，亦即 Wireless的諧波，會(huì)更加強(qiáng)，會(huì)有超標(biāo)的風(fēng)險(xiǎn)。

原則上，前述的問(wèn)題，可透過(guò)加強(qiáng) Shielding Cover與? Shielding Frame的接觸， 以及加強(qiáng) Shielding Cover與? Housing金屬的接觸，?使其耦合到 Shielding Cover上的發(fā)射訊號(hào)，通通流到? GND。

前述提到，若作了 Coupler回灌? PA輸出的實(shí)驗(yàn)，但現(xiàn)象卻與? ?Shielding Cover蓋上去的現(xiàn)象不一致，那就不能證明是 PA輸出訊號(hào)，打到上述走線。此時(shí)問(wèn)題可能是來(lái)自于 Shielding Cover與? PA內(nèi)部? ?Bond Wire的寄生效應(yīng)，尤其是? ?Shielding Frame的架橋，因?yàn)橄噍^于 Shielding Cover，其架橋的高度又更小，倘若 PA剛好在架橋下方，那寄生效應(yīng)會(huì)很大，其 PA的特性可能會(huì)有所改變，導(dǎo)致發(fā)射性能劣化，若問(wèn)題是來(lái)自寄生效應(yīng)，那么就是 Shielding Cover的高度，以及架橋的位置，要重新調(diào)整，再不然就是 PA上方的? Shielding Cover，直接破孔開(kāi)天窗。所以? Placement時(shí)，PA盡量不要在架橋跟? Shielding Frame的屋檐下方，避免寄生效應(yīng)。

除了 PA之外，另外還需特別注意金屬表面的? Duplexer，例如 Taiyo的? ?Duplexer，前述說(shuō)過(guò)，任何金屬，若沒(méi)接地完全，那就是一個(gè)輻射體，故此時(shí) Duplexer的金屬表面，會(huì)宛如一個(gè)輻射體，那么 Shielding Cover一蓋上去，就會(huì)產(chǎn)生上述的機(jī)制，打到上述走線，導(dǎo)致發(fā)射性能劣化，尤其是 LTE的? Band 7，這種頻率很高的頻段，更是容易出狀況。此時(shí)可以在 Duplexer上方，置入導(dǎo)電泡棉，使Duplexer的金屬表面接地完全，便可減少其輻射體機(jī)制。當(dāng)然，前提是? ?Shielding Cover要先接地完全。

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